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西安贏潤環(huán)保科技集團(tuán)有限公司
Xi 'an ERUN Environmental Protection Technology Group Co., LTD
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2026.02.09
在半導(dǎo)體晶圓制造過程中，超純水中的硅污染物會(huì)引發(fā)柵極氧化層缺陷，導(dǎo)致芯片漏電率上升30%以上。某28nm晶圓廠的生產(chǎn)數(shù)據(jù)表明，超純水中全硅含量每超標(biāo)1μg/L，光刻工序良率就會(huì)下降8%。因此，借助超純水全硅檢測儀和硅表實(shí)施實(shí)時(shí)監(jiān)測，已成為半導(dǎo)體制造過程中必不可少的質(zhì)量控制手段。超純水二氧化硅檢測儀能夠精確檢測微克級(jí)的硅污染，為晶圓制造提供關(guān)鍵的水質(zhì)保障。
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