2026.02.09
在半導(dǎo)體晶圓制造過程中,超純水中的硅污染物會(huì)引發(fā)柵極氧化層缺陷,導(dǎo)致芯片漏電率上升30%以上。某28nm晶圓廠的生產(chǎn)數(shù)據(jù)表明,超純水中全硅含量每超標(biāo)1μg/L,光刻工序良率就會(huì)下降8%。因此,借助超純水全硅檢測(cè)儀和硅表實(shí)施實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),已成為半導(dǎo)體制造過程中必不可少的質(zhì)量控制手段。超純水二氧化硅檢測(cè)儀能夠精確檢測(cè)微克級(jí)的硅污染,為晶圓制造提供關(guān)鍵的水質(zhì)保障。